三星电子于当地时间10月29日召开了2026年第三季度财报电话会议。公司高管透露，2027年的高带宽内存（HBM）产能已经按照预定价格销售一空，同时预计到2028年，整体的DRAM内存供应将持续紧张。在2026年第三季度，三星的DRAM和NAND出货量均较去年有所增长，分别上涨了个位数百分比，平均销售价格（ASP）则分别增长了20%和近10%。该公司预计，2026年第四季度的DRAM出货量将增长15%至20%，而NAND的增长则预计在15%左右。尽管存储半导体市场仍存在供大于求的情况，管理层提到收到了大量的四层Q（QLC）需求。三星已经与10家客户签署了长期协议（LTA），并正与另外10家进行多年的合同洽谈。随着用户对长期合同的兴趣扩展到移动设备、汽车和网络领域，三星计划通过这些合同锁定60%至70%的产出。客户对续签合同的需求超出了公司的预期，有些客户甚至希望在协议期限内增加供货。在HBM方面，三星电子已经提前实现了市场占有率与整体DRAM市场持平的目标，其HBM4销售额在第三季度环比增长超过三倍，占到总HBM营收的60%。此外，三星的晶圆代工业务计划增加对韩美晶圆厂的投资，正在评估建设更多晶圆厂的扩展计划，尤其是在先进封装产能方面。